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来源：半岛在线登录官网 发布时间：2024-01-24 09:46:33
时代的“红人”。经过十几年的市场变革，现在很多人关注 FPGA 更多是看头部的两家的定义是主打差异化的厂商，实际上莱迪思半导体这么多年也是如此做的，或是为了尽最大可能避免和头部巨头直接竞争，或是为了体现企业独有的创新价值。
坚持差异化之路的莱迪思半导体过去几年都在专注于消费市场，用定制化的产品去服务各大客户。现在，我们正真看到了莱迪思半导体的改变，全新的架构、全新的工艺、全新的发展模式。
官网资料显示，莱迪思半导体 Nexus 平台是基于的 28 nm FD-SOI 工艺打造的 FPGA 平台。莱迪思半导体亚太区事业发展总监陈英仁表示：“FPGA 什么产业都能去做，但过去莱迪思半导体更专注于消费类业务，根据不同的需求做出不一样的产品。然而由于消费类业务的更新迭代很快，有些创新技术很难复用。所以，现在我们将会用平台的方式，然后在这个工艺下陆续推出不一样的产品。”
FD-SOI 的一大技术优势就是降低器件功耗，而莱迪思半导体一直以来也专注于低功耗 FPGA 的开发，Nexus 平台让功耗降低 75% 对于各领域应用有非常多的好处，比如使用电池供电网络边缘设备正常运行时间更长，运行成本更低、产品成本更低等等。
除了低功耗，陈英仁指出 Nexus 平台带来的另一个明显的加成是产品稳定性的提升。他说到：“消费类电子对于稳定性要求低一些，能够直接进行重新开关机等操作，但是很多应用是不能够重新开关机的。否则将会影响系统稳定性，甚至危害生命安全。”莱迪思半导体选用的 28nm FD-SOI 工艺里有一个非常薄的 Buried Oxide，可以将失效率降低 100 倍，相应的提高 100 倍的稳定性，这对汽车、工业通信、数据中心，甚至航空都是很重要的。
过往一段时间莱迪思半导体虽然专注于消费类业务，但不是说我们主要注重在消费类业务，其实在小尺寸类型 FPGA 市场，莱迪思半导体占有很高的市占比。FPGA 领域前两家都在专注于数据中心市场，做大颗的 FPGA。在中小尺寸 FPGA 开发方面，都会由莱迪思半导体来做。
CrossLink-NX 系列新产品是用于嵌入式视觉处理的 FPGA。按照陈英仁的说法，在嵌入式视觉视觉市场，提供像 CrossLink-NX 这样的产品没有其它厂商。
从当前的发展局势来看，嵌入式视觉系统基于强大的低能耗计算平台，并不能被CPUGPU和其他智能计算平台所覆盖，属于全新的应用需求和应用领域，业者深刻认识到了嵌入式视觉市场未来巨大的潜力，未来的成功是显而易见的。显然，嵌入式视觉应用需要具备低功耗、小尺寸、高性能、可靠性好、易于使用的特点。
当然，对于 FPGA 而言，除了性能优势以外，对开发者友好是很重要的一点。针对 CrossLink-NX 系列新产品，莱迪思半导体也准备了相应的工具和 IP 来加速开发。工具层面有全新 Lattice Radiant 2.0，能够为开发者带来片上调试、优化的时序分析、工程变更（ECO）编辑器和信号完整性分析。IP 方面包括 MIPID-PHY、格式转换、PCIe、SGMII 和 OpenLDI 等各类 IP 核可供选择。同时，陈英仁表示：“莱迪思半导体将延续我们的强项，提供更多的参考设计，提供更多让客户上手可以去做设计的方式。”
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如今谈起晶圆工艺，大家提及的往往是日趋成熟的Fin-FET，抑或是尚出于完善阶段的GAA，台积电、三星、英特尔……无数厂商都在为了这两种工艺前后奔忙，不过却鲜少有人知晓另一种与Fin-FET齐名的工艺。
今日看点丨英飞凌CEO呼吁不应过多限制对华半导体出口；百度集团副总裁吴甜：文心大模型 3.5 能力已经超出
先进制程研发， CEA-Leti 工艺引导线 月开工 据外媒报道，欧洲三大微电子研究机构之一的法国CEA-Leti正计划新建一条工艺引导线
器件和电路研制方面有中国科学院微电子研究所、中国电子科技集团公司第58所、航天时代集团第七七一研究所、中国科学院半导体所等。 中国科学院微电子研究所
GF也为数字IC制造提供了28nm Planar CMOS FET的替代品，如12nm和14nm FinFET和22nm
工艺，该公司也将大量精力和研发资金集中在为其旧的Planar CMOS工艺节点寻找新的、有趣的能力。该公司称这些额外的解决能力为“模块”。
2022 年 4 月 21日，中国——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半导体宣布一项新的合作协议，四家公司计划联合制定行业的下一代
耗尽型绝缘硅工艺，该工艺的优点是能够在提升处理器主频性能的同时，尽可能控制功耗。
制造工艺，CertusPro-NX器件提供卓越的性能，同时功耗比同类竞品
产品，包括在嵌入式视频方面应用比较多的CrossLink-NX，重新定义的Certus-NX，去年Q4问世的基于安全的
Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年还会推出基于
产品，包括在嵌入式视频方面应用比较多的CrossLink-NX，重新定义的Certus-NX，去年Q4问世的基于安全的
重点 ● 双方在技术赋能方面的紧密合作使GLOBALFOUNDRIES 12LP、12LP+ （12nm FinFET） 以及22FDX （22nm
工艺。这与之前的 CMOS 工艺相比有很大区别，能够极大降低功耗。如图一所示，Certus™-NX 比英特尔和赛灵思的同种类型的产品功耗低 3-4 倍。Certus™-NX 的配置时间极短，能够让系统快速启动。该器件还拥有验证和加密硬件模块提升安全性。
使用的范围非常广，包括智能手机、汽车、物联网等。在过去的一年，我们看到
使用的范围非常广，包括智能手机、汽车、物联网等。在过去的一年，我们看到
近日低功耗可编程器件的领先供应商莱迪思推出了Certus-NX 系列低功耗通用
打造。该芯片与市场上同种类型的产品相比最大的特点是其拥有领先的I/O密度，据了解
Globalfoundries提供eMRAM 计划在2020年实现多个流片
上提供eMRAM技术，该公司正在与几个客户合作，计划在2020年实现多个流片。
据外媒报道称，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已完成了22FDX（22 nm
）技术开发，而这项技术用来生产嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）。
AI芯片设计大厂莱迪思半导体（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技术
AI芯片设计大厂莱迪思半导体（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技术
随着摩尔定律的放缓以及登纳德缩放比例定律和阿姆达尔定律接近瓶颈，异构和加速时代
厂商第三，虽然与前两大公司赛灵思和英特尔（收购Altera）的营收有所差距，但作为以低功耗、小型化著称的
厂商在消费类电子、工业等领域取得了成功。近年，其策略发生了重要的变化，推出了转型之作。
的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDXeMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。
工艺技术，并计划在今年扩大高密度新兴的非易失存储器解决方案，包括1Gb EMRAM芯片。
但是随着物联网、人工智能、智能驾驶这样的新应用对半导体提出了全新的挑战，而FinFET工艺也遇到了瓶颈，尤其是FinFET的制造、研发成本慢慢的升高，已经远远不是一般玩家可以承受的起的了。
长期跟踪研究半导体工艺和技术趋势的IBS CEO Handel Jones发表演讲，并对
工艺迁移中也发现一些问题，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
日益增长的需求。建立在两家公司现在存在的密切关系上，此份协议即刻生效，以确保未来数年的高水平大批量生产。
在美国的三星代工论坛上，Arm与三星Foundry、Cadence和Sondrel合作，展示了
晶圆为核心，透过传统Si芯片制程方式，进而以水平式晶体管架构，取代线nm）之FinFET元件。
当MOS器件的特征尺寸不断缩小至22nm及以下时，提高沟道的掺杂浓度和降低源漏结深
工艺的生产线上，开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。
工艺的生产线上，开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。
工艺技术，并计划在今年扩大高密度新兴的非易失存储器解决方案，包括1Gb EMRAM芯片。
, 22FDX IP加快节能型SoC设计，推动单芯片集成界限 格芯(GF)和领先的半导体IP提供商Dolphin Integration今日宣布，双方正在合作
技术在系统芯片(SoC)设备的设计中越发受到关注，Soitec的业务也迎来了蒸蒸日上的发展，从其最新的财务报表即可见一斑。
Imagination与GLOBALFOUNDRIES携手为物联网应用提供超低功耗连接解决方案
双方携手采用Imagination的Ensigma连接方案半导体知识产权（connectivity IP），在GF的22nm
。该套件加速了使用该器件的解决方案的开发，拥有针对红外和传感器功能的硬件特性和参考设计，适用于智能手机、平板电脑、游戏机以及其他有着严格的低成本、低功耗和快速上市时间要求的应用。
格芯Fab1厂总经理兼高级副总裁Thomas Morgenstern表示，
日前，格罗方德宣布停止7nm工艺的投资研发，转而专注现有14/12nm FinFET工艺和22/12nm
今天，Globalfoundries（简称GF）宣布无限期停止7nm工艺的投资研发，转而专注现有14/12nm FinFET工艺及22/12nm
晶圆代工大厂格芯在28日宣布，无限期停止7纳米制程的投资与研发，转而专注现有14/12纳米FinFET制程，及22/12纳米
正获得慢慢的变多的市场关注。在5月份的晶圆代工论坛上，三星宣布他们有17种
工艺的公司有ST Micro（其正在将此工艺用作28纳米IDM的生产），三星代工厂（28纳米工艺投产中，18纳米工艺计划投产），以及格芯代工厂（22纳米工艺投产中，12纳米计划投产）。
自动显微疟疾诊断设备，选择了Trinamic的TMCM6110步进模块来搭建Parasight
高效语音识别引擎。该方案在亚马逊AWS发布之后，迅速移植上线国内公有云市场。以语音识别为应用载体，对AI类应用推理计算做全面加速。成为目前国内公有云市场上，
通过AEC-Q100(2级)认证，准备投入量产。作为业内符合汽车标准的先进
的成功基础之上，专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。
)制程技术取得了36项设计订单，其中有超过十几项设计将会在今年出样(tape-out)。另一方面，其竞争对手三星则预计今年将采用其28nm
在工艺节点进展方面，三星电子晶圆代工业务执行副总裁兼总经理 ES Jung表示，三星晶圆代工业务发展路线将包括FinFET和
制程 若要说2018以及未来五年最受瞩目的半导体制程技术，除了即将量产的7奈米FinFET尖端制程，以及预计将全面导入极紫外光(EUV)微影技术的5奈米制程节点，各家晶圆代工
能提供更好的晶体管静电特性，而埋入氧化层能降低源极(source)与汲极(drain)之间的寄生电容；此外该技术能有效限制源极与汲极之间的电子流
技术已经略有成效，近日传来消息，又迎来意法半导体（ST）的大单进补，在第二代
集微网消息，格罗方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半导体供应商意法半导体（ST）选择采用格罗方德 22 纳米
和技术领导力，格芯FDX技术将赋能ST为新一代消费者和工业应用提供高性能、低功耗的产品。
5G时代将对半导体的移动性与对物联网时代的适应性有着慢慢的升高的要求。此时，
的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDX eMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美国所展示的，格芯22FDX eMRAM具有业界领先的存储
AMD剥离出来的代工厂GlobalFoundries(经常被戏称为AMD女友)近日迎来好消息，上海复旦微电子已经下单采纳其22nm
秀。这款应用于旗舰机型的芯片备受业界关注，高通讲述了该芯片在续航、沉浸式体验、拍摄、连接以及安全等方面的性能参数。高通方面表示即将有搭载该芯片的手机
28纳米以后逻辑工艺开始分岔：立体工艺FinFET由于获得英特尔与台积电的主推成为主流，14/16纳米都已量产，10纳米工艺也有一定的可能在2017年量产；体硅工艺停止在28纳米，想增加集成度而又对FinFET开发成本望而却步的半导体公司另辟蹊径。
获得英 特尔（Intel）、三星、台积电（TSMC）等大厂采用的FinFET制程，号称能提供最高性能与最低功耗；但Jones指出，在约当14纳米节 点，
每逻辑闸成本能比FinFET低16.8%，此外其设计成本也低25%左右，并降低了要重新设计的风险。
Samsung Foundry行销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示，该公司的技术蓝图显示，28纳米
Globalfoundries技术长Gary Patton透露，其22FDX全空乏绝缘上覆矽（
三星半导体（Samsung Semiconductor Inc.，SSI）的高层透露了该公司晶圆代工厂技术蓝图细节，包括将扩展其
）制程技术正从原本的“迟到”（too-late）位置摇身一变，成为可望在物联网（IoT）与汽车市场取代鳍式场效电晶体（FinFET）的理想替代方案了。对于许多人来说，业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动，象征着为这项技术背书。
半导体晶圆代工公司格罗方德（Globalfoundries）日前开发出支援4种技术制程的22nm
，以满足新一代物联网（IoT）装置的超低功耗要求——这大多数来源于于该公司与意法半导体
在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里，半导体厂商应该不是选择FinFET就是
技术配备嵌入式存储器，有望突破更高性能，以实现更低工作功耗和更低待机功耗。
）技术荣获2013年度电子成就奖（ACE）能源技术奖。按照每个客户的节能与性能权衡策略，
芯片本身可节约20%至50%的能耗，使终端设备可更快散热，并实现更长的使用寿命。
在测试中取得又一项重大阶段性成功:其应用处理器引擎芯片工作频率达到3GHz，在指定的工作频率下新产品能效高于其它现有技术。
意法爱立信发布了首个单射频方案实现载波聚合的极速LTEAdvanced Modem
所采用的主要的多核处理技术，重点介绍多核处理技术与意法·爱立信未来产品所采用的具有突破性的
整合了全套无线功能，并拥有基于ARM Cortex-A9的2.5GHz eQuad应用处理器。
日前，意法半导体（ST）宣布位于法国Crolles的12寸（300mm）晶圆厂即将拥有28奈米
技术，这证明了意法半导体以28奈米技术节点提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技术的能力。
意法半导体（ST）、Soitec与CMP（Circuits Multi Projets）携手宣佈，大专院校、研究实验室和设计企业将可透过CMP的硅中介服务採用意法半导体的CMOS 28奈米
（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
22nm以后的晶体管技术领域，靠现行BulkMOSFET的微细化会慢慢的困难的，为此，人们关注的是平面型
22nm以后的晶体管技术领域，靠现行Bulk MOSFET的微细化会慢慢的困难的，为此，人们关注的是平面型
（Silicon On Insulator）是BESOI(Bonding and Etch back
迷你型Cat 5 DVI视频信号延长器VE066，提供使用者简便的连接方式以取代沉重且昂贵的DVI
内置传感器芯片(即MEMS微机电芯片)在上海推出。芯片的设计方深迪半导体创始人兼CEO邹波称，希望明年融资进
的性能及应用 赛灵思(Xilinx)的Virtex-4现场可编程门阵列(
基于ASMBL(Advanced Silicon Modular Block)架构的多
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