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来源：半岛在线登录官网    发布时间：2024-02-25 20:02:31

  ROHM开发出4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

  全球知名半导体制造商ROHM（总部在日本京都），开发出6款沟槽栅结构※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品（650V／1200V耐压），非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。此次新开发的系列新产品采用4引脚封装（TO-247-4L），可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装（TO-247N）相比，开关损耗可降低约35％，非常有助于逐步降低各种设备的功耗。另外，罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT304

  近日，科锐宣布与德尔福科技（Delphi Technologies PLC）开展汽车碳化硅（SiC）器件合作。

  王 莹 （《电子产品世界》编辑，北京 100036）SiC(碳化硅)作为第三代半导体，以耐高压、高温和高频，在高性能功率半导体上显出优势。据SiC厂商罗姆基于IHS的调查显示，2025年整个市场规模将达到约23亿美元。在应用中，在光伏与服务器市场最大，正处于发展中的市场是xEV（电动与混动汽车）。随着SiC产品特性越做越好，在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。不过，制约SiC发展的关键是价格，根本原因有两个：衬底和晶圆尺寸。例如晶圆尺寸越大，成本也会相应地下降，罗姆等公司已有6英

  SiC(碳化硅)作为第三代半导体，以耐高压、高温和高频，在高性能功率半导体上显出优势。在应用中，在光伏与服务器市场最大，正处于发展中的市场是xEV（电动与混动汽车）。随着SiC产品特性越做越好，在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。      不过，制约SiC发展的，最主要的是价格，根本原因有两个，一个是衬底，一个是晶圆尺寸所限。例如晶圆尺寸越大，成本也会相应地下降，ROHM等公司已有6英寸的晶圆片。在技术方面，众厂商竞争

  电动工具中直流电机的配置已从有刷直流大幅转向更可靠、更高效的无刷直流（BLDC）解决方案转变。斩波器配置等典型有刷直流拓扑通常根据双向开关的使用与否实现一个或两个功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三个半桥或至少六个场效应管（FET），因此从有刷电流转向无刷电流意味着全球电动工具FET总区域市场增长了3到6倍（见图1）。图1：从有刷拓扑转换到无刷拓扑意味着FET数量出现了6倍倍增但BLDC设计在这些FET上提出了新的技术方面的要求。例如，若电路板上FET的数量6倍倍增

  SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10个机型， 产品阵容丰富且支持汽车电子科技类产品可靠性标准AEC-Q101

  全球知名半导体制造商ROHM(总部在日本京都)面向车载充电器和DC/DC转换器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型，该系列新产品支持汽车电子科技类产品可靠性标准AEC-Q101※2)，而且产品阵容丰富，拥有13个机型。ROHM于2010年在全球率先成功实现SiC MOSFET的量产，在SiC功率元器件领域，ROHM始终在推动领先的产品研究开发和量产体制构建。在需求逐步扩大的车载市场，ROHM也及时确立车载品质，并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特

  安森美半导体将在APEC 2019演示 用先进云联接的Strata Developer Studio™快速分析电源方案

  2019年3月14日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，将在美国加利福尼亚州阿纳海姆举行的APEC 2019展示由Strata Developer Studioä 开发平台支持的新电源方案板。Strata便于快速、简易评估应用广泛的电源方案，使用户能在一个具充分代表性的环境中查看器件并分析其性能。工程师用此缩小可行器件和系统方案的选择范围，且在采购硬件和完成设计之前对系统性能有信心。Strata Developer S

  集邦咨询：需求持续扩张，2019年中国功率半导体市场规模逾2,900亿元

  Mar. 7, 2019 ---- 全球市场研究机构集邦咨询在最新《中国半导体产业深度分析报告》中指出，受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加，MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价，带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币。其中功率分立器件市场规模为1,874亿元人民币，较2017年同比成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币，较2017年同比增长8%。集邦咨询分析师谢瑞峰指出，功率半导体作为需求驱动型的产业，2019年

  本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。

  Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器，可最大限度提高效率及安全性

  深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver™ —— 这是一款市售可提供高效率、单通道碳化硅(SiC) MOSFET门极驱动器，可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。新品件经过设定后可支持不同的门极驱动电压，来满足市售SiC-MOSFET的需求;其主要使用在包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。SIC1182K可在125°C结温下提供8

  介绍了SiC的市场动向，SiC市场逐步扩大的原因，SiC技术及解决方案的突破，以及罗姆公司在SiC方面的特点。

  意法半导体(ST)近日与瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商Norstel AB公司签署协议，收购后者55%股权。Norstel公司于2005年从Linköping大学分拆出来，开发和生产150mm SiC裸晶圆和外延晶圆。ST表示，在交易完成之后，它将在全球产能受限的情况下控制部分SiC器件的整个供应链，并为我们自己所带来一个重要的增长机会。

  目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度慢慢的升高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件没办法实现的作用。尤其是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前途。然而，SiC和GaN并不是终点，最近，氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野，凭借其比SiC和GaN更宽的禁带，该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。因此，近几年关于氧化镓的研究又热了起来。实际上，氧化镓并不是很新的技术，多年前就

  每年十二月，在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区其中一处举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛，在其中报告半导体、电子元件技术、设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。这个会会议就是IEEE国际电子元件会议(International Electron Devices Meeting，缩写：IEDM)在每一界的IEDM上，全球工业界与学界的管理者、工程师和科学家将会聚集在一起讨论纳米级CMOS晶体管技术、先进内存、显示、感测器、微机电系统元件、新颖量子与纳米级规模元件、粒子物理学现象、光电工程、

  11月30日，北汽新能源(北汽蓝谷 600733)与罗姆半导体集团合作成立SiC产品技术联合实验室。北汽新能源执行副总经理陈上华与罗姆半导体集团董事末永良明现场签署了合作协议书，并共同为SiC产品技术联合试验室揭牌。该联合实验室的成立，是北汽新能源在新能源汽车领域慢慢地增加自主技术实力的重要举措，联合实验室成立后，北汽新能源将可以与罗姆半导体集团共同深入到碳化硅等新技术的预研中，并围绕碳化硅的新产品做全面合作开发。近年来，以SiC为代表的第三代功率半导体材料，已经被大范围的应用在新能源